Diyotun Yapısı ve Özellikleri

Diyotlar p-tipi ve n-tipi olarak 2 farklı yarı iletken malzemenin birleşmesi ile elde edilir.Yarı iletken maddeler normal durumda elektrik akımını iletmezler. 

P-tipi ve n-tipi yarı iletkenin eldesi için silisyum veya germanyum gibi yarı iletkenler işlemden geçirilir.Bu işleme doping denir.

 

Diyot, p ve n yarı-iletkenlerin birleşimiyle oluşur.

İleri kutuplama = Anot ucuna pozitif gerilim uygulanıp katot ucuna negatif gerilim uygulamak.

Ters kutuplama = Gerilimleri tam tersi duruma çevirme ile oluşur.

 

Diyotun ileri kutuplanma bölgesinde çalışırken akım geçirmesi için Vf ile belirtilmiş eşik değerine ulaşılması gerekir.Bu değer silikon diyotlarda 0.7 V ,germanyum diyotlarda ise 0.3 V dur.

Ters kutuplanma bölgesinde ise Vbr ile belirtilen maksimum gerilime kadar akım geçirmez. Örnek vermek gerekirse;

1N4001 diyotunun değeri 50V civarındadır.

 

Diyotu ayrıntılı öğrenmek için izleyiniz.