Diyotlar p-tipi ve n-tipi olarak 2 farklı yarı iletken malzemenin birleşmesi ile elde edilir.Yarı iletken maddeler normal durumda elektrik akımını iletmezler.
P-tipi ve n-tipi yarı iletkenin eldesi için silisyum veya germanyum gibi yarı iletkenler işlemden geçirilir.Bu işleme doping denir.
Diyot, p ve n yarı-iletkenlerin birleşimiyle oluşur.
İleri kutuplama = Anot ucuna pozitif gerilim uygulanıp katot ucuna negatif gerilim uygulamak.
Ters kutuplama = Gerilimleri tam tersi duruma çevirme ile oluşur.
Diyotun ileri kutuplanma bölgesinde çalışırken akım geçirmesi için Vf ile belirtilmiş eşik değerine ulaşılması gerekir.Bu değer silikon diyotlarda 0.7 V ,germanyum diyotlarda ise 0.3 V dur.
Ters kutuplanma bölgesinde ise Vbr ile belirtilen maksimum gerilime kadar akım geçirmez. Örnek vermek gerekirse;
1N4001 diyotunun değeri 50V civarındadır.
Diyotu ayrıntılı öğrenmek için izleyiniz.
